سامسونگ استاندارد GDDR6W را با ظرفیت دو برابر شده نسبت به GDDR6X و پهنای باند تقریباً مطابق با HBM2E ارائه می کند.
سامسونگ مشخصات GDDR6W را کمتر از 2 ماه پس از معرفی مشخصات GDDR7 اعلام کرد. به نظر می رسد محصولاتی که تراشه های GDDR7 VRAM را ادغام می کنند ممکن است مدت بیشتری طول بکشد تا وارد بازار شوند، زیرا سامسونگ ادعا می کند که استانداردسازی JEDEC برای محصولات GDDR6W VRAM قبلاً در سه ماهه دوم سال جاری تکمیل شده است و غول کره جنوبی در حال برنامه ریزی برای ارائه این است. استاندارد برای نوت بوک ها و بخش محاسبات با عملکرد بالا در اسرع وقت. استاندارد GDDR6W علاوه بر ارائه پهنای باند بالاتر به علاوه دو برابر ظرفیت و پین‌های ورودی/خروجی بر روی تراشه‌های GDDR6X با سرعت ۲۴ گیگابیت در ثانیه، با طراحی انقلابی FOWLP (بسته‌بندی سطح ویفر فن‌آوت) توسعه یافته است که اجازه می‌دهد ردپایی بدون تغییر داشته باشد تا ادغام‌کنندگان بتوانند از آن استفاده کنند. فرآیند تولید مشابه از GDDR6X و کاهش زمان و هزینه های اجرا.
10 لپ تاپ برتر چند رسانه ای، چند رسانه ای بودجه، بازی، بازی اقتصادی، بازی سبک، کسب و کار، دفتر بودجه، ایستگاه کاری، زیر نوت بوک، اولترابوک، کروم بوک
تا آنجا که به پهنای باند خام مربوط می شود، سامسونگ می گوید که VRAM GDDR6W تقریباً می تواند به روشی کارآمدتر با استاندارد HBM مطابقت داشته باشد. در حالی که تراشه‌های HBM2E دارای پهنای باند 1.6 ترابایت بر ثانیه با 4096 پین ورودی/خروجی و سرعت انتقال 3.2 گیگابیت بر ثانیه در هر پایه هستند، استاندارد جدید GDDR6W پهنای باند 1.4 ترابایت بر ثانیه با 512 پین ورودی/خروجی و نرخ 22 گیگابیت بر ثانیه را ارائه می‌کند. در هر پین کاهش تعداد خطوط ورودی/خروجی به میزان 8 برابر اساساً نیاز به لایه interposer را از بین می‌برد و آن را برای ادغام‌کنندگان محصول مقرون به صرفه‌تر می‌کند. به عنوان مرجع، GDDR6X تا 1.1 ترابایت بر ثانیه پهنای باند ارائه می دهد، بنابراین GDDR6W 30٪ سریعتر خواهد بود. از سوی دیگر، انتظار می‌رود که GDDR7 پهنای باند 1.7 ترابایت بر ثانیه را روی یک گذرگاه 384 بیتی ارائه دهد.
به لطف فرآیند جدید تولید FOWLP، قالب‌های GDDR6W به اندازه قالب‌های GDDR6X هستند، اما به جای ۱۶ گیگابایت، ۳۲ گیگابایت ظرفیت دارند و تعداد پین‌های ورودی/خروجی نیز دو برابر شده است. پهنای باند در سطح سیستم می تواند با 512 پین ورودی/خروجی به 1.4 ترابایت بر ثانیه برسد، در حالی که HBM2E 1.6 ترابایت بر ثانیه را تا 4096 پین ارائه می دهد که استاندارد حافظه جدید سامسونگ را به میزان قابل توجهی کارآمدتر می کند.
زیر 300 USD/Euro، زیر 500 USD/Euro، 1000 USD/Euro، برای دانشجویان دانشگاه، بهترین نمایشگرها
ظرفیت اکنون از 16 گیگابیت به 32 گیگابیت در هر قالب دو برابر شده است، در حالی که پین ورودی/خروجی از 32 به 64 دو برابر شده است. از 1.1 میلی متر به 0.7 میلی متر با حذف لایه پایه PCB و جایگزینی آن با ویفر سیلیکونی که خود تراشه های VRAM را یکپارچه می کند.
لطفا مقاله ما را به اشتراک بگذارید، هر پیوند مهم است!